此器件设计用于在 超低高度并具有出色散热特性的 尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通 电阻和栅极电荷。

在 1 in²2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，R_θJA=105°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
• 小型封装尺寸 1mm x 1mm
• 低高度（高度为 0.62mm）
• 无铅
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 栅 - 源电压钳位

• VDS (V)
• 12
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 34
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 20.2
• QG typ (nC)
• 2.3
• QGD typ (nC)
• 0.3
• QGS typ (nC)
• 0.5
• Package (mm)
• WLP 1.0x1.0
• VGS (V)
• 8
• VGSTH typ (V)
• 0.8
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 1.6
• ID - package limited (A)
• 1.6
• Logic level
• Yes

CSD13201W10的完整型号有：CSD13201W10，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD13201W10，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZB)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD13201W10的批量USD价格：.082（1000+）

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