这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

• 超低导通电阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 1mm x 1mm 小尺寸封装
• 低高度（高度为 0.62mm）
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素

应用范围

• 电池管理
• 负载开关
• 电池保护

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• VDS (V)
• 12
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 17.1
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 29
• QG typ (nC)
• 6
• QGD typ (nC)
• 2.1
• QGS typ (nC)
• 0.7
• Package (mm)
• WLP 1.0x1.0
• VGS (V)
• 10
• VGSTH typ (V)
• 1
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 1.6
• ID - package limited (A)
• 1.6
• Logic level
• Yes

CSD13302W的完整型号有：CSD13302W、CSD13302WT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD13302W，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZB)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD13302W的批量USD价格：.081（1000+）

CSD13302WT，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZB)-4，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD13302WT的批量USD价格：.281（1000+）

TPS63802HDKEVM — TPS63802HDKEVM - Hardware Development Kit

TPS63802HDKEVM 是一个通用开发工具，用于帮助用户轻松快速地评估和测试最常见的降压/升压转换器用例。用例包括备用电源、输入电流限制、LED 驱动器、数字电压调节、旁路模式和精密使能。用户可以通过更改跳线和 dip 开关在不同用例之间轻松选择。不需要焊接。

TPS63802HDKEVM 使用 TPS63802，输出电压设置为 3.3V。此 EVM 在 1.8V 至 5.5V 输入电压范围内运行。降压模式和升压模式下，可提供高达 2A 的输出电流。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。