CSD13303W1015_TI 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、20mΩ、12V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD13303W1015的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、20mΩ、12V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD13303W1015的产品详情：

此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的接通电阻和栅极电荷。

顶视图在 1 in² 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，R_θJA = 75.7°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 1ms，占空比 ≤ 2% 。

CSD13303W1015的优势和特性：

超低接通电阻
超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
小封装尺寸
低高度（高度为 0.62mm）
无铅
符合 RoHS 标准
无卤素
芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装

CSD13303W1015的参数（英文）：

VDS (V)
12
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
20
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
31
QG typ (nC)
3.9
QGD typ (nC)
0.4
QGS typ (nC)
1
Package (mm)
WLP 1.0x1.5
VGS (V)
8
VGSTH typ (V)
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
3.5
ID - package limited (A)
3.5
Logic level
Yes

CSD13303W1015具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD13303W1015的完整型号有：CSD13303W1015，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD13303W1015，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD13303W1015的批量USD价格：.12（1000+）

CSD13303W1015的评估套件：

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

CSD13303W1015的电路图解：

CSD13303W1015的评估套件：