CSD13380F3_TI 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD13380F3的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD13380F3的产品详情：

该 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

。

CSD13380F3的优势和特性：

低导通电阻
超低 Qg 和 Qgd
高漏极工作电流
超小尺寸
- 0.73mm × 0.64mm
薄型封装
- 最大厚度为 0.36mm
集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 3kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
无铅且无卤素
符合 RoHS

CSD13380F3的参数（英文）：

VDS (V)
12
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
76
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
13.5
QG typ (nC)
0.91
QGD typ (nC)
0.15
QGS typ (nC)
0.19
Package (mm)
LGA 0.7x0.6mm
VGS (V)
8
VGSTH typ (V)
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
3.6
ID - package limited (A)
3.6
Logic level
Yes

CSD13380F3具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD13380F3的完整型号有：CSD13380F3、CSD13380F3T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD13380F3，工作温度：-55 to 150，封装： (YJM)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD13380F3的批量USD价格：0.04（1000+）

CSD13380F3T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJM)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD13380F3T的批量USD价格：0.24（1000+）

CSD13380F3的评估套件：

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

CSD13380F3的电路图解：

CSD13380F3的评估套件：