该 12V、15mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

.

.

.

.

• 低导通电阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
  • 1.53mm x 0.77mm
• 薄型封装
  • 厚度为 0.36mm
• 集成型 ESD 保护二极管
  • 额定值 > 4kV HBM
  • 额定值 > 2kV CDM
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS

• VDS (V)
• 12
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 19
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 41
• QG typ (nC)
• 3.9
• QGD typ (nC)
• 0.39
• QGS typ (nC)
• 0.74
• Package (mm)
• LGA 1.5x0.8mm
• VGS (V)
• 8
• VGSTH typ (V)
• 0.8
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 7.1
• ID - package limited (A)
• 7.1
• Logic level
• Yes

CSD13385F5的完整型号有：CSD13385F5、CSD13385F5T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD13385F5，工作温度：-55 to 150，封装： (YJK)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD13385F5的批量USD价格：.08（1000+）

CSD13385F5T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJK)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD13385F5T的批量USD价格：.28（1000+）

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

TIDA-010053 — 使用原电池的智能仪表无线模块低功耗选项参考设计

该参考设计展示了三种不同的电源架构，适合具有锂二氧化锰 (LiMnO2) 原电池的智能流量表，以及用于物联网 (IoT) 相关应用的现成商业窄带模块。这三种电源解决方案可与电池供电型智能流量表的电池和系统运行状况监控参考设计硬件结合使用，以提供针对电池寿命的高精度运行状况 (SOH) 计算。常开系统内电流监控可检测射频传输的电流峰值，并且在之后通过可调延迟安排 SOH 测量。高效电源架构可为适用于物联网相关应用的窄带蜂窝模块供电，具有 BQ35100 电池电量监测计，能够提供实时电池寿命数据，从而实现电池的及时更换。