- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述:采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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This 25 V, 4.2 mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm SON NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.
- Ultra-Low Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
- VDS (V)
- 25
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 7.4
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
- 5.3
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 114
- QG typ (nC)
- 5.8
- QGD typ (nC)
- 1.5
- QGS typ (nC)
- 2.5
- Package (mm)
- SON3x3
- VGS (V)
- 16
- VGSTH typ (V)
- 1.7
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 79
- ID - package limited (A)
- 60
- Logic level
- Yes
CSD16406Q3的完整型号有:CSD16406Q3,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD16406Q3,工作温度:-55 to 150,封装: (DQG)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD16406Q3的批量USD价格:0.339(1000+)
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