这款 25V，0.49mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小 ORing 和热拔插应用的 电阻， 不适用于开关 应用。

• 极低电阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 5mm × 6mm 塑料封装

• VDS (V)
• 25
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 0.82
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 0.59
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 400
• QG typ (nC)
• 95
• QGD typ (nC)
• 31
• QGS typ (nC)
• 29
• Package (mm)
• SON5x6
• VGS (V)
• 20
• VGSTH typ (V)
• 1.5
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 456
• ID - package limited (A)
• 100
• Logic level
• Yes

CSD16570Q5B的完整型号有：CSD16570Q5B、CSD16570Q5BT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD16570Q5B，工作温度：-55 to 150，封装： (DNK)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD16570Q5B的批量USD价格：.753（1000+）

CSD16570Q5BT，工作温度：-55 to 150，封装： (DNK)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD16570Q5BT的批量USD价格：.904（1000+）

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

PMP23126 — 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计

此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB)，旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位，可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力，以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN，在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比，LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能，可在更宽的工作范围内保持 ZVS，从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行，可实现 97.74% 的峰值效率。

PMP40182 — 双向电池初始化系统电源板参考设计

This reference design is a battery initialization reference design solution for automotive and battery applications. The module enables a high efficiency single stage conversion for charging and discharging the battery. This design features a 0.1% accurate current control loop using the high (...)