- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.
- Optimized for 5V Gate Drive
- Ultralow Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
- APPLICATIONS
- Notebook Point of Load
- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems
- VDS (V)
- 30
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 3.6
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 181
- QG typ (nC)
- 14.1
- QGD typ (nC)
- 3
- QGS typ (nC)
- 4.5
- Package (mm)
- SON5x6
- VGS (V)
- 10
- VGSTH typ (V)
- 1.1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 100
- ID - package limited (A)
- 100
- Logic level
- Yes
CSD17305Q5A的完整型号有:CSD17305Q5A,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD17305Q5A,工作温度:-55 to 150,封装: (DQJ)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD17305Q5A的批量USD价格:.471(1000+)
TPS51200EVM — TPS51200 吸入/输出 DDR 终止稳压器
TPS51200EVM 评估板(即 HPA322A)用于评估成本优化的 TI DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终止稳压器(即 TPS51200)的性能和特性。TPS51200 用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器(包括 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 等规格)提供 10mA 缓冲参考电压。
Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)
MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具
适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具
适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器