- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.
- Optimized for 5V Gate Drive
- Ultralow Qg and Qgd
- Low Thermal Resistance
- Avalanche Rated
- Pb Free Terminal Plating
- RoHS Compliant
- Halogen Free
- SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
- APPLICATIONS
- Notebook Point of Load
- Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing Systems
- VDS (V)
- 30
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 12.1
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 92
- QG typ (nC)
- 4
- QGD typ (nC)
- 1
- QGS typ (nC)
- 1.3
- Package (mm)
- SON5x6
- VGS (V)
- 10
- VGSTH typ (V)
- 1.3
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 73
- ID - package limited (A)
- 100
- Logic level
- Yes
CSD17307Q5A的完整型号有:CSD17307Q5A,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD17307Q5A,工作温度:-55 to 150,封装: (DQJ)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD17307Q5A的批量USD价格:.219(1000+)
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PMP30159 参考设计在 3V 至 13.2V 的输入电压范围内工作,可提供最大为 5V/2A 的输出。启动所需输入电压须大于 4.5V。此参考设计已通过搭建和测试,可提供完整的测试报告。