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CSD17308Q3的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
  • 功能描述:采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD17308Q3的产品详情:

此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换 应用 中的损耗并针对 5V 栅极驱动器 应用进行了优化。

CSD17308Q3的优势和特性:
  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
CSD17308Q3的参数(英文):
  • VDS (V)
  • 30
  • Configuration
  • Single
  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
  • 11.8
  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)
  • 78
  • QG typ (nC)
  • 3.9
  • QGD typ (nC)
  • 0.8
  • QGS typ (nC)
  • 1.3
  • Package (mm)
  • SON3x3
  • VGS (V)
  • 10
  • VGSTH typ (V)
  • 1.3
  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
  • 50
  • ID - package limited (A)
  • 50
  • Logic level
  • Yes
CSD17308Q3具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD17308Q3的完整型号有:CSD17308Q3、CSD17308Q3T,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD17308Q3,工作温度:-55 to 150,封装: (DQG)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD17308Q3的批量USD价格:0.243(1000+)

CSD17308Q3T,工作温度:-55 to 150,封装: (DQG)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD17308Q3T的批量USD价格:0.292(1000+)

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CSD17308Q3的评估套件:

BQ500211AEVM-210 — bq500211A 评估模块

The bq500211AEVM-210 evaluation module (EVM) demonstrates the transmitter portion of the bqTESLA wireless power system. This transmitter EVM is a complete transmitter-side solution that powers a bqTESLA receiver. The EVM is compliant to WPC standard version 1.1 with Foreign Object Detection (...)

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具,使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

TIDA-00657 参考设计能实现高效率(1-2 A 时高于 90%)以及更快的充电速度(充电电流高达 3 A)。该设计使用 TI 的带混合动力升压模式的 BQ24780 工业创新充电控制器,同时提供电源和处理器热监测功能。

PMP40441 — 适用于 USB PD PPS 的多芯降压/升压电池充电器系统参考设计

此参考设计适用于 USB 电力输送 (PD) 电池充电应用,例如移动电源或其他便携式设备。它采用降压/升压充电器 BQ25713 为 USB PD 充电实现广泛的输入和输出范围。USB PD 控制器卡 (PMP40442) 可以将充电器配置为通过同一个电源路径进行充电或 OTG。PMP40441/2 与 PD2.0 兼容。它还展示了 BQ25713 能够满足 PD 的可编程电源 (PPS) 标准。在 OTG 方向(也就是将移动电源用作电源),USB 端口可输出 5/9/15/20V 的固定 USB PD 电压以及 3.3V 至 5.9/11/21V 的 USB PD PPS 电压,阶跃小于 (...)

PMP40294 — 双向电池电源系统板 +USB A 5V2A 输出参考设计

PMP40294 参考设计适用于需要更多充电和放电功率的高容量电池组。它可以支持来自任何适配器的宽输入电压范围 (5~20V),并向 3S 电池组提供高达 3A 的最大充电电流。它采用双向降压/升压控制器 BQ25703A,其功率流可在相同功率级内双向流动。在反向模式下,可将来自电池的 5/9/12/14.5/15/16/19/20V 3A 输入输送至端口。数字编程功能进一步扩展了它的功能。
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