CSD17318Q2的基本参数
- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD17318Q2的产品详情：
这款采用 2mm × 2mm SON 封装的 30V、12.6mΩ NexFET™功率 MOSFET 的设计被用来降低功率转换中的损耗， 并优化 5V 栅极驱动器。 2mm x 2mm SON 针对封装尺寸提供了出色的散热性能。
CSD17318Q2的优势和特性：
- 针对 5V 栅极驱动器进行优化
- 低电容和电荷
- 低 RDS(ON)
- 低热阻
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装
CSD17318Q2的参数（英文）：
- VDS (V)
- 30
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 16.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 68
- QG typ (nC)
- 6
- QGD typ (nC)
- 1.3
- QGS typ (nC)
- 1.5
- Package (mm)
- SON2x2
- VGS (V)
- 10
- VGSTH typ (V)
- 0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 25
- ID - package limited (A)
- 22
- Logic level
- Yes
CSD17318Q2具体的完整产品型号参数及价格（美元）：
CSD17318Q2的完整型号有：CSD17318Q2、CSD17318Q2T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD17318Q2，工作温度：-55 to 150，封装： (DQK)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD17318Q2的批量USD价格：.118（1000+）
CSD17318Q2T，工作温度：-55 to 150，封装： (DQK)-6，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD17318Q2T的批量USD价格：.318（1000+）
CSD17318Q2的评估套件：
Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具
适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具
适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器CSD17318Q2的电路图解：
CSD17318Q2的评估套件：
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