此 90mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能更大程度减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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• 超低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
  • 1.0mm × 0.6mm
• 超薄型封装
  • 厚度为 0.36mm
• 集成型 ESD 保护二极管
  • 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
  • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS

• VDS (V)
• 30
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 117
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 109
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 10
• QG typ (nC)
• 1.04
• QGD typ (nC)
• 0.133
• QGS typ (nC)
• 0.226
• Package (mm)
• LGA 1.0x0.6mm
• VGS (V)
• 12
• VGSTH typ (V)
• 0.85
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 3.1
• ID - package limited (A)
• 3.1
• Logic level
• Yes

CSD17381F4的完整型号有：CSD17381F4、CSD17381F4T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD17381F4，工作温度：-55 to 150，封装： (YJC)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17381F4的批量USD价格：.051（1000+）

CSD17381F4T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJC)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17381F4T的批量USD价格：.251（1000+）

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

TIDA-01352 — 400W 连续、可扩展、±2.5 至 ±150V、可编程的超声波电源参考设计

TIDA-01352 为向超声波发射电路供电的数字化可编程电源提供解决方案，以此来实现模块化和高效的功率调节能力。此参考设计使用推挽式拓扑来生成高压 (HV) 和低压 (LV) 或 MID 电压电源。HV 电压轨可在 ±50V 到 ±150V 之间进行编程，而 LV 或 MID 电压轨可在 ±2.5V 到 ±50V 之间进行编程。电源能够在每个电压轨上提供 100W 的连续功率。可编程能力是通过使用板载、12 位数模转换器 (DAC) (...)