CSD17382F4_TI 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD17382F4的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD17382F4的产品详情：

该 30V、54mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能最大限度地减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

CSD17382F4的优势和特性：

低导通电阻
低 Qg 和 Qgd
低阈值电压
超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
超薄型封装
- 厚度为 0.36mm
集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 3kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
无铅且无卤素
符合 RoHS

CSD17382F4的参数（英文）：

VDS (V)
30
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
67
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
14.8
QG typ (nC)
2.1
QGD typ (nC)
0.63
QGS typ (nC)
0.41
Package (mm)
LGA 1.0x0.6mm
VGS (V)
10
VGSTH typ (V)
0.9
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
2.3
ID - package limited (A)
2.3
Logic level
Yes

CSD17382F4具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD17382F4的完整型号有：CSD17382F4、CSD17382F4T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD17382F4，工作温度：-55 to 150，封装： (YJC)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17382F4的批量USD价格：.054（1000+）

CSD17382F4T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJC)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17382F4T的批量USD价格：.254（1000+）

CSD17382F4的评估套件：

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

TIDA-010085 — 使用数字隔离器的 24VAC 多通道固态继电器参考设计

此参考设计演示了使用单隔离的多通道固态继电器 (SSR)。该设计使用带有单隔离电源的多通道数字隔离器，以及使用公共接地栅极驱动电路来单独控制多个 SSR。该设计适用于额定电流高达 2A 的 24VAC 供电继电器，但可扩展至 240VAC 和更高的额定电流。每个 SSR 通道使用小于 75mm2 的空间，元件的最大高度约为 3mm，与机电继电器相比，可大大节省空间。使用单隔离电源可节省布板空间和 BOM 成本。

CSD17382F4的电路图解：

CSD17382F4的评估套件：