该 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

• 低导通电阻
• 低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
  • 1.0mm × 0.6mm
• 超薄型封装
  • 厚度为 0.36mm
• 集成型 ESD 保护二极管
  • 额定值 > 4kV HBM
  • 额定值 > 2kV CDM
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS

• VDS (V)
• 30
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 260
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 230
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 5
• QG typ (nC)
• 1.01
• QGD typ (nC)
• 0.13
• QGS typ (nC)
• 0.22
• Package (mm)
• LGA 1.0x0.6mm
• VGS (V)
• 12
• VGSTH typ (V)
• 0.85
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 1.5
• ID - package limited (A)
• 1.5
• Logic level
• Yes

CSD17483F4的完整型号有：CSD17483F4、CSD17483F4T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD17483F4，工作温度：-55 to 150，封装： (YJC)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17483F4的批量USD价格：0.04（1000+）

CSD17483F4T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJC)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17483F4T的批量USD价格：0.24（1000+）

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。