CSD17484F4的基本参数
- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD17484F4的产品详情：
该 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
CSD17484F4的优势和特性：
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型封装
- 厚度为 0.2mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD17484F4的参数（英文）：
- VDS (V)
- 30
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 128
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 18
- QG typ (nC)
- 0.92
- QGD typ (nC)
- 0.075
- QGS typ (nC)
- 0.28
- Package (mm)
- LGA 1.0x0.6mm
- VGS (V)
- 12
- VGSTH typ (V)
- 0.85
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 3
- ID - package limited (A)
- 3
- Logic level
- Yes
CSD17484F4具体的完整产品型号参数及价格（美元）：
CSD17484F4的完整型号有：CSD17484F4、CSD17484F4T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD17484F4，工作温度：-55 to 150，封装： (YJJ)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17484F4的批量USD价格：.056（1000+）
CSD17484F4T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJJ)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD17484F4T的批量USD价格：.256（1000+）
CSD17484F4的评估套件：
Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。CSD17484F4的电路图解：
CSD17484F4的评估套件：
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