CSD17570Q5B_TI 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD17570Q5B的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD17570Q5B的产品详情：

这款 30V，0.56mΩ，SON 5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地减小 ORing 和热拔插应用的电阻，不可用于开关应用。

CSD17570Q5B的优势和特性：

超低电阻
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

CSD17570Q5B的参数（英文）：

VDS (V)
30
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
0.92
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
0.69
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
400
QG typ (nC)
93
QGD typ (nC)
34
QGS typ (nC)
27
Package (mm)
SON5x6
VGS (V)
20
VGSTH typ (V)
1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
407
ID - package limited (A)
100
Logic level
Yes

CSD17570Q5B具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD17570Q5B的完整型号有：CSD17570Q5B、CSD17570Q5BT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD17570Q5B，工作温度：-55 to 150，封装： (DNK)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD17570Q5B的批量USD价格：.762（1000+）

CSD17570Q5BT，工作温度：-55 to 150，封装： (DNK)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD17570Q5BT的批量USD价格：.914（1000+）

CSD17570Q5B的评估套件：

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET-LOSS-CALC 是一种基于 Excel 的工具，使用户能够基于系统和 MOSFET 参数估算同步降压转换器中的功率损耗。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

TIDA-01512 — 适用于 NXP QorIQ LS2085A/88A 处理器的 PMBus 稳压器参考设计

TIDA-01512 采用 TPS53681 多相控制器和 CSD95490Q5MC 智能功率级，可实现适合为 NXP QorIQ 通信处理器供电的高性能设计。

该控制器的双路输出分别面向具有四相设计的 60ATDC、1.0V 内核轨和 30ATDC、1.2V 辅助轨。通过采用智能功率级和集成 PMBus 功能，可轻松设置输出电压、遥测关键设计参数以及进行补偿调整。

在验证过程中可在 NXP 参考板上看到输出电容减少超过 50%。

TIDA-00653 — 适用于电池充电应用的非隔离式双向转换器参考设计

TIDA-00653 是非隔离式 48 至 12V 双向转换器参考设计，适用于 UCD3138 数字电源控制器支持的 48V 电池应用。该设计非常灵活，能够以 ZVS 转换模式拓扑工作以优化轻负载效率，也能够以硬开关拓扑工作以实现简单的系统设计。该双向转换器针对轻负载采用自动切相和偏移技术，并且采用自适应死区优化，以实现大于 96% 的复合效率增益。由于效率得到极大的提高，因此热损耗得以降低，在汽车应用中无需使用空气或液体冷却。此外，使用 UCD3138 高控制频率控制器和基于硬件的状态机，可以实现小型化，并且可以释放系统 CPU 以用于电池管理等其他功能。

PMP11399 — 面向企业级以太网交换机的 PMBus 电源系统参考设计

PMP11399 是完整的 PMBus 电力系统，可以为 3 个 ASIC/FPGA 内核、DDR3 内核内存、VTT 终端供电，并为高性能以太网交换机提供辅助电压。硬件附带有 GUI，便于用户对电源执行实时配置和监控。

PMP10896 — 针对企业级以太网交换机的完备 PMBus 电源系统参考设计

完整的 PMBus 电力系统，可以为 3 个 ASIC/FPGA 内核、DDR3 内核内存供电，并为高性能以太网交换机提供辅助电压。

PMP9616 — 参考设计 - TPS2490，采用 TI 1.4 代 NexFET 的 12V 输出 60A 热插拔控制器

此电路为热插拔设计，使用具有功率限制功能的 TPS2490 热插拔控制器和两个 30V CSD17570Q5B NexFET。此系统可用于安全服务器中，允许在系统正常运行时插入线路卡。使用 dV/dt 控制实现了恒定电流启动，从而使浪涌电流保持在 1A 和 2A 之间。

电路可位于线路卡一面的内部。

Vin = 12V，ILoad = 60A

CSD17570Q5B的电路图解：

CSD17570Q5B的评估套件：