这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗，同时提供出色的封装散热性能。

• 低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

• 针对负载开关应用进行了优化
• 存储、平板电脑和手持设备
• 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

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• VDS (V)
• 30
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 29
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 24
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 39
• QG typ (nC)
• 2.4
• QGD typ (nC)
• 0.6
• QGS typ (nC)
• 0.9
• Package (mm)
• SON2x2
• VGS (V)
• 20
• VGSTH typ (V)
• 1.6
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 7.6
• ID - package limited (A)
• 22
• Logic level
• Yes

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