这款采用 3.3mm × 3.3mm SON 封装的 30V、3.2mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(on)
• 低热阻抗
• 雪崩级
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用范围

• 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
• 电机控制 应用
• 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了 优化

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• VDS (V)
• 30
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 4.7
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 3.8
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 154
• QG typ (nC)
• 20
• QGD typ (nC)
• 4
• QGS typ (nC)
• 6.9
• Package (mm)
• SON3x3
• VGS (V)
• 20
• VGSTH typ (V)
• 1.3
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 101
• ID - package limited (A)
• 60
• Logic level
• Yes

CSD17581Q3A的完整型号有：CSD17581Q3A、CSD17581Q3AT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD17581Q3A，工作温度：-55 to 150，封装： (DNH)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD17581Q3A的批量USD价格：.234（1000+）

CSD17581Q3AT，工作温度：-55 to 150，封装： (DNH)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD17581Q3AT的批量USD价格：.281（1000+）

BQ25960EVM — BQ25960 I2C 控制型 8A 开关电容式 1 节并联电池充电器评估模块

BQ25960EVM 评估模块 (EVM) 是一种功能全面的充电器模块，用于评估采用 WCSP 封装的高度集成式 BQ25960 开关电容电池充电器，适用于各种智能手机和平板电脑中的单节锂离子和锂聚合物电池。BQ25960EVM 是一项完整且快速的充电解决方案。典型用例是供 BQ25611D 降压充电器进行预充电和充电终止，而其中一个或两个 BQ25960 开关电容充电器都进行快速充电，从而尽可能提高效率。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器