- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述:采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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这款 40V、1.4mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
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- VDS (V)
- 40
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 2.6
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
- 1.7
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 400
- QG typ (nC)
- 119
- QGD typ (nC)
- 21
- QGS typ (nC)
- 28
- Package (mm)
- D2PAK
- VGS (V)
- 20
- VGSTH typ (V)
- 1.7
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 274
- ID - package limited (A)
- 200
- Logic level
- Yes
CSD18510KTT的完整型号有:CSD18510KTT、CSD18510KTTT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD18510KTT,工作温度:-55 to 175,封装:DDPAK/TO-263 (KTT)-3,包装数量MPQ:500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD18510KTT的批量USD价格:.807(1000+)
CSD18510KTTT,工作温度:-55 to 175,封装:DDPAK/TO-263 (KTT)-3,包装数量MPQ:50个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD18510KTTT的批量USD价格:.904(1000+)
Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具
适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具
适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器