这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、0.79mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

• 低 RDS(ON)
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 逻辑电平
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

• VDS (V)
• 40
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 1.6
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 0.96
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 400
• QG typ (nC)
• 118
• QGD typ (nC)
• 21
• QGS typ (nC)
• 28
• Package (mm)
• SON5x6
• VGS (V)
• 20
• VGSTH typ (V)
• 1.7
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 300
• ID - package limited (A)
• 100
• Logic level
• Yes

CSD18510Q5B的完整型号有：CSD18510Q5B、CSD18510Q5BT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD18510Q5B，工作温度：-55 to 150，封装： (DNK)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD18510Q5B的批量USD价格：.787（1000+）

CSD18510Q5BT，工作温度：-55 to 150，封装： (DNK)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD18510Q5BT的批量USD价格：.884（1000+）

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

此参考设计是一种数字控制的紧凑型 1kW 交流/直流电源设计，适用于服务器电源单元 (PSU) 和通信电源整流器应用。该高效设计支持两个主要功率级，包括一个前端连续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 功率级。PFC 功率级采用带有集成驱动器的 LMG341x GaN FET，可在较宽的负载范围内实现高效率，并且符合 80 plus titanium 要求。该设计还支持半桥 LLC 隔离式直流/直流级，以便在 1kW 功率下获得 +12V 直流输出。两个控制卡使用 C2000 Piccolo 微控制器来控制两个功率级。

PMP21842 — 具有 HV GaN FET 的 12V/500W 谐振转换器参考设计

This high-frequency resonant converter reference design regulates a 12-V output from a 380-V to 400-V input voltage range using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A peak efficiency of 96.0% (bias supply included) is achieved with this design using our high-voltage GaN device along (...)