CSD18511KTT_TI 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD18511KTT的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD18511KTT的产品详情：

This 40-V, 2.1-mΩ, D²PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

CSD18511KTT的优势和特性：

Low Qg and Qgd
Low RDS(ON)
Low-Thermal Resistance
Avalanche Rated
Lead-Free Terminal Plating
RoHS Compliant
Halogen Free
D2PAK Plastic Package

CSD18511KTT的参数（英文）：

VDS (V)
40
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
4.2
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
2.6
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
400
QG typ (nC)
64
QGD typ (nC)
9.7
QGS typ (nC)
18
Package (mm)
D2PAK
VGS (V)
20
VGSTH typ (V)
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
194
ID - package limited (A)
110
Logic level
Yes

CSD18511KTT具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD18511KTT的完整型号有：CSD18511KTT、CSD18511KTTT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD18511KTT，工作温度：-55 to 175，封装：DDPAK/TO-263 (KTT)-3，包装数量MPQ：500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD18511KTT的批量USD价格：.594（1000+）

CSD18511KTTT，工作温度：-55 to 175，封装：DDPAK/TO-263 (KTT)-3，包装数量MPQ：50个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD18511KTTT的批量USD价格：.649（1000+）

CSD18511KTT的评估套件：

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

CSD18511KTT的电路图解：

CSD18511KTT的评估套件：