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CSD18512Q5B的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
  • 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD18512Q5B的产品详情:

这款 40V、1.3mΩ、5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。

CSD18512Q5B的优势和特性:
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 逻辑电平
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • SON 5mm x 6mm 塑料封装
CSD18512Q5B的参数(英文):
  • VDS (V)
  • 40
  • Configuration
  • Single
  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
  • 2.3
  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
  • 1.6
  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)
  • 400
  • QG typ (nC)
  • 75
  • QGD typ (nC)
  • 13.3
  • QGS typ (nC)
  • 15.1
  • Package (mm)
  • SON5x6
  • VGS (V)
  • 20
  • VGSTH typ (V)
  • 1.6
  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
  • 211
  • ID - package limited (A)
  • 100
  • Logic level
  • Yes
CSD18512Q5B具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD18512Q5B的完整型号有:CSD18512Q5B、CSD18512Q5BT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD18512Q5B,工作温度:-55 to 150,封装: (DNK)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网CSD18512Q5B的批量USD价格:.615(1000+)

CSD18512Q5BT,工作温度:-55 to 150,封装: (DNK)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网CSD18512Q5BT的批量USD价格:.678(1000+)

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CSD18512Q5B的评估套件:

DRV8106H-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器评估模块

The DRV8106H-Q1EVM is designed to evaluate the DRV8106H-Q1, which is an integrated, automotive qualified brushed DC motor driver. The DRV8106H-Q1 is a highly integrated half-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive (...)

DRV8106S-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器 EVM

The DRV8106S-Q1EVM is designed to evaluate the DRV8106S-Q1, which is an integrated, automotive qualified brushed DC motor driver. The DRV8106S-Q1 is a highly integrated half-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive (...)

DRV8705H-Q1EVM — 具有低侧电流感应放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM

DRV8705H-Q1EVM 用于评估 DRV8705H-Q1,后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8705H-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵(针对高侧)和线性稳压器(针对低侧)生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过智能栅极驱动架构降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可通过优化死区时间避免出现击穿问题,通过可调节栅极驱动电流控制减少电磁干扰 (EMI),还可通过 VDS 和 VGS 监控防止漏源短路和栅极短路问题。分流放大器具有低侧电流感应功能,可持续测量电机电流。

DRV8705H-Q1 (...)

DRV8705S-Q1EVM — 具有低侧电流感应放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM

The DRV8705S-Q1EVM is designed to evaluate the DRV8705H-Q1, which is an integrated, automotive qualified brushed DC motor driver. The DRV8705S-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive (...)

DRV8706H-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器评估模块

DRV8706H-Q1EVM 用于评估 DRV8706H-Q1,后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8706H-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵(针对高侧)和线性稳压器(针对低侧)生成合适的栅极驱动电压。

该器件通过智能栅极驱动架构降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题,通过可调栅极驱动器电流控制减少电磁干扰 (EMI),而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。
宽共模分流放大器具有内联电流感应功能,可持续测量电机电流。

(...)

DRV8706S-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM

The DRV8706S-Q1EVM is designed to evaluate the DRV8706S-Q1, which is an integrated, automotive qualified brushed DC motor driver. The DRV8706S-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive (...)

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
CSD18512Q5B的电路图解:
  • CSD18512Q5B的评估套件:
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