- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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这款 40V、1.3mΩ、5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。
- 低 RDS(ON)
- 低热阻
- 雪崩级
- 逻辑电平
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- SON 5mm x 6mm 塑料封装
- VDS (V)
- 40
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 2.3
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
- 1.6
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 400
- QG typ (nC)
- 75
- QGD typ (nC)
- 13.3
- QGS typ (nC)
- 15.1
- Package (mm)
- SON5x6
- VGS (V)
- 20
- VGSTH typ (V)
- 1.6
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 211
- ID - package limited (A)
- 100
- Logic level
- Yes
CSD18512Q5B的完整型号有:CSD18512Q5B、CSD18512Q5BT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD18512Q5B,工作温度:-55 to 150,封装: (DNK)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网CSD18512Q5B的批量USD价格:.615(1000+)
CSD18512Q5BT,工作温度:-55 to 150,封装: (DNK)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIPDAU,TI官网CSD18512Q5BT的批量USD价格:.678(1000+)
DRV8106H-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器评估模块
The DRV8106H-Q1EVM is designed to evaluate the DRV8106H-Q1, which is an integrated, automotive qualified brushed DC motor driver. The DRV8106H-Q1 is a highly integrated half-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive (...)
DRV8106S-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器 EVM
The DRV8106S-Q1EVM is designed to evaluate the DRV8106S-Q1, which is an integrated, automotive qualified brushed DC motor driver. The DRV8106S-Q1 is a highly integrated half-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive (...)
DRV8705H-Q1EVM — 具有低侧电流感应放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM
DRV8705H-Q1EVM 用于评估 DRV8705H-Q1,后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8705H-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵(针对高侧)和线性稳压器(针对低侧)生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过智能栅极驱动架构降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可通过优化死区时间避免出现击穿问题,通过可调节栅极驱动电流控制减少电磁干扰 (EMI),还可通过 VDS 和 VGS 监控防止漏源短路和栅极短路问题。分流放大器具有低侧电流感应功能,可持续测量电机电流。
DRV8705H-Q1 (...)
DRV8705S-Q1EVM — 具有低侧电流感应放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM
The DRV8705S-Q1EVM is designed to evaluate the DRV8705H-Q1, which is an integrated, automotive qualified brushed DC motor driver. The DRV8705S-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive (...)
DRV8706H-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类半桥智能栅极驱动器评估模块
DRV8706H-Q1EVM 用于评估 DRV8706H-Q1,后者是一款符合汽车标准的集成式有刷直流电机驱动器。DRV8706H-Q1 是一款高度集成式 H 桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵(针对高侧)和线性稳压器(针对低侧)生成合适的栅极驱动电压。
该器件通过智能栅极驱动架构降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题,通过可调栅极驱动器电流控制减少电磁干扰 (EMI),而且可通过 VDS 和 VGS 监视器防止漏源电压和栅极短路问题。
宽共模分流放大器具有内联电流感应功能,可持续测量电机电流。
(...)
DRV8706S-Q1EVM — 具有宽共模电流感应放大器的汽车类 H 桥智能栅极驱动器 EVM
The DRV8706S-Q1EVM is designed to evaluate the DRV8706S-Q1, which is an integrated, automotive qualified brushed DC motor driver. The DRV8706S-Q1 is a highly integrated H-bridge gate driver, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive (...)
Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具
适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具
适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器