- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 2.5mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
- VDS (V)
- 60
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 4.3
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
- 3.2
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 400
- QG typ (nC)
- 44
- QGD typ (nC)
- 6.9
- QGS typ (nC)
- 10
- Package (mm)
- SON5x6
- VGS (V)
- 20
- VGSTH typ (V)
- 1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 172
- ID - package limited (A)
- 100
- Logic level
- Yes
CSD18532Q5B的完整型号有：CSD18532Q5B、CSD18532Q5BT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD18532Q5B，工作温度：-55 to 150，封装： (DNK)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD18532Q5B的批量USD价格：.841（1000+）
CSD18532Q5BT，工作温度：-55 to 150，封装： (DNK)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIPDAU，TI官网CSD18532Q5BT的批量USD价格：.949（1000+）
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