- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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此 7.8mΩ、60V、SON 5 × 6mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
- VDS (V)
- 60
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 12.4
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
- 9.8
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 229
- QG typ (nC)
- 17
- QGD typ (nC)
- 3.5
- QGS typ (nC)
- 3.2
- Package (mm)
- SON5x6
- VGS (V)
- 20
- VGSTH typ (V)
- 1.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 69
- ID - package limited (A)
- 50
- Logic level
- Yes
CSD18534Q5A的完整型号有:CSD18534Q5A、CSD18534Q5AT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD18534Q5A,工作温度:-55 to 150,封装: (DQJ)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD18534Q5A的批量USD价格:.328(1000+)
CSD18534Q5AT,工作温度:-55 to 150,封装: (DQJ)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD18534Q5AT的批量USD价格:.528(1000+)
BQ77915EVM-014 — bq77915 3 节至 5 节串联可堆叠超低功耗初级保护器评估模块
BQ77915EVM-014评估模块 (EVM) 是适用于 3 至 5 节串联锂离子电池低功耗保护器 BQ77915 的完整评估系统。EVM 包括 BQ77915 和 FET 器件,用于在锂离子电池组的典型电流转换配置中控制电流。此电路模块包含一个 BQ77915 集成电路 (IC)、一个感应电阻器、一个热敏电阻、两个 FET,以及切换充电和放电电流所需的所有其他板载组件。
该电路模块可连接电池电源与电池组负载。除了向模块施加电流和电压,用户还可以移除板载跳线来模拟过热或欠温状况,从而观察 FET 在不同充电和放电条件下的控制情况。另外,还可以通过模块对电池单体间的差异进行均衡。
Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)
这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具
适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具
适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器