该 54mΩ、60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在空间受限的工业负载开关应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
  • 1.53mm × 0.77mm
• 薄型封装
  • 厚度为 0.36mm
• 集成型 ESD 保护二极管
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS

• VDS (V)
• 60
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 75
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 65
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 21
• QG typ (nC)
• 11
• QGD typ (nC)
• 1.6
• QGS typ (nC)
• 1.5
• Package (mm)
• LGA 1.5x0.8mm
• VGS (V)
• 20
• VGSTH typ (V)
• 1.75
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 2.2
• ID - package limited (A)
• 2.2
• Logic level
• Yes

CSD18541F5的完整型号有：CSD18541F5、CSD18541F5T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD18541F5，工作温度：-55 to 150，封装： (YJK)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD18541F5的批量USD价格：.074（1000+）

CSD18541F5T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJK)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD18541F5T的批量USD价格：.274（1000+）

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这款 FemtoFET N 沟道 EVM 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。七个 FemtoFET 支持 12V 至 40V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

TIDA-010049 — 适用于 IEC 61508 (SIL-2) 且经 TUV 评估的数字输入参考设计

该 8 通道、组隔离式、数字输入模块参考设计聚焦于需要工业功能安全的应用。该设计实现了诊断功能，以帮助检测永久和瞬态随机硬件故障。该输入模块的概念已经过 TUEV SUED (TÜV SÜD) 的评估，可帮助设计人员满足 IEC61508-2:2010 (SIL2) 和 EN13849-1:2015 (Cat2 PLd) 系统合规性要求。此外，该设计还具有 0 硬件容错 (HFT) 能力（1oo1D 架构），并且具有设计用于符合 IEC61131-2（1 类）建议的数字输入。

TIDA-01065 — 采用 MOSFET 的隔离式自供电交流固态继电器参考设计

采用 MOSFET 的隔离式自供电交流固态继电器参考设计是一种继电器替代方法，可实现高效的电源管理，适用于以低功耗方式替代标准机电式继电器。电隔离以电容方式实现，可以在恒温器和其他类似的设备中为多个继电器更换创建具成本效益且尺寸更小的解决方案。

TIDA-01064 — 具有 MOSFET 的低 BOM 成本交流固态继电器参考设计

采用 MOSFET 参考设计的低成本交流固态继电器是单个继电器的替代产品，可实现高效的电源管理，适用于在恒温器应用中以低功耗继电器替代标准机电式继电器。此 SSR 参考设计是自供电 SSR 的基础模型，可为低成本恒温器提供低成本解决方案。