CSD18542KTT_TI 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD18542KTT的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD18542KTT的产品详情：

这款 60V、3.3mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

CSD18542KTT的优势和特性：

超低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩额定值
逻辑电平
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
D2PAK 塑料封装

CSD18542KTT的参数（英文）：

VDS (V)
60
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
5.1
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
4
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
400
QG typ (nC)
44
QGD typ (nC)
6.9
QGS typ (nC)
13
Package (mm)
D2PAK
VGS (V)
20
VGSTH typ (V)
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
170
ID - package limited (A)
200
Logic level
Yes

CSD18542KTT具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD18542KTT的完整型号有：CSD18542KTT、CSD18542KTTT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD18542KTT，工作温度：-55 to 175，封装：DDPAK/TO-263 (KTT)-3，包装数量MPQ：500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD18542KTT的批量USD价格：.859（1000+）

CSD18542KTTT，工作温度：-55 to 175，封装：DDPAK/TO-263 (KTT)-3，包装数量MPQ：50个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD18542KTTT的批量USD价格：.967（1000+）

CSD18542KTT的评估套件：

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

CSD18542KTT的电路图解：

CSD18542KTT的评估套件：