这款 80V，5.5mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 R_θJC = 0.7，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

• 次级侧同步整流器
• 电机控制

• VDS (V)
• 80
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 6.6
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 305
• QG typ (nC)
• 38
• QGD typ (nC)
• 5.8
• QGS typ (nC)
• 12.4
• Package (mm)
• TO-220
• VGS (V)
• 20
• VGSTH typ (V)
• 2.6
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 129
• ID - package limited (A)
• 100
• Logic level
• No

CSD19501KCS的完整型号有：CSD19501KCS，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD19501KCS，工作温度：-55 to 175，封装：TO-220 (KCS)-3，包装数量MPQ：50个，MSL 等级/回流焊峰值温度：N/A for Pkg Type，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD19501KCS的批量USD价格：.719（1000+）

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