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CSD19505KTT的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
  • 功能描述:采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD19505KTT的产品详情:

这款 80V、2.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

CSD19505KTT的优势和特性:
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装
应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

All trademarks are the property of their respective owners.

CSD19505KTT的参数(英文):
  • VDS (V)
  • 80
  • Configuration
  • Single
  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
  • 3.1
  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)
  • 400
  • QG typ (nC)
  • 76
  • QGD typ (nC)
  • 11
  • QGS typ (nC)
  • 25
  • Package (mm)
  • D2PAK
  • VGS (V)
  • 20
  • VGSTH typ (V)
  • 2.6
  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
  • 212
  • ID - package limited (A)
  • 200
  • Logic level
  • No
CSD19505KTT具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD19505KTT的完整型号有:CSD19505KTT、CSD19505KTTT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD19505KTT,工作温度:-55 to 175,封装:DDPAK/TO-263 (KTT)-3,包装数量MPQ:500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD19505KTT的批量USD价格:1.289(1000+)

CSD19505KTTT,工作温度:-55 to 175,封装:DDPAK/TO-263 (KTT)-3,包装数量MPQ:50个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-2-260C-1 YEAR,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD19505KTTT的批量USD价格:1.483(1000+)

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CSD19505KTT的评估套件:

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
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