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CSD19506KCS的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
  • 功能描述:采用 TO-220 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD19506KCS的产品详情:

这款 80V,2.0mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

CSD19506KCS的优势和特性:
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用范围
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

CSD19506KCS的参数(英文):
  • VDS (V)
  • 80
  • Configuration
  • Single
  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
  • 2.3
  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)
  • 400
  • QG typ (nC)
  • 120
  • QGD typ (nC)
  • 20
  • QGS typ (nC)
  • 37
  • Package (mm)
  • TO-220
  • VGS (V)
  • 20
  • VGSTH typ (V)
  • 2.5
  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
  • 273
  • ID - package limited (A)
  • 150
  • Logic level
  • No
CSD19506KCS具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD19506KCS的完整型号有:CSD19506KCS,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD19506KCS,工作温度:-55 to 175,封装:TO-220 (KCS)-3,包装数量MPQ:50个,MSL 等级/回流焊峰值温度:N/A for Pkg Type,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD19506KCS的批量USD价格:1.866(1000+)

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