这款 100V，5.3mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

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要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 R_θJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 R_θJC = 1.0°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%

• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

• 初级侧电信应用
• 次级侧同步整流器
• 电机控制

• VDS (V)
• 100
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
• 6.4
• IDM - pulsed drain current (Max) (A)
• 337
• QG typ (nC)
• 37
• QGD typ (nC)
• 6.6
• QGS typ (nC)
• 10.5
• Package (mm)
• SON5x6
• VGS (V)
• 20
• VGSTH typ (V)
• 2.7
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 110
• ID - package limited (A)
• 100
• Logic level
• No

CSD19531Q5A的完整型号有：CSD19531Q5A、CSD19531Q5AT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD19531Q5A，工作温度：-55 to 150，封装： (DQJ)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD19531Q5A的批量USD价格：.6（1000+）

CSD19531Q5AT，工作温度：-55 to 150，封装： (DQJ)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD19531Q5AT的批量USD价格：.69（1000+）

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