CSD19532KTT_TI 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD19532KTT的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD19532KTT的产品详情：

这款 100V、4.6mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

引脚分配

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。最大 R_θJC = 0.6°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，
占空比 ≤ 1%

CSD19532KTT的优势和特性：

超低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
D2PAK 塑料封装

应用

次级侧同步整流器
热插拔
电机控制

CSD19532KTT的参数（英文）：

VDS (V)
100
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
5.6
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
400
QG typ (nC)
44
QGD typ (nC)
5.6
QGS typ (nC)
17
Package (mm)
D2PAK
VGS (V)
20
VGSTH typ (V)
2.6
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
136
ID - package limited (A)
200
Logic level
No

CSD19532KTT具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD19532KTT的完整型号有：CSD19532KTT、CSD19532KTTT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD19532KTT，工作温度：-55 to 175，封装：DDPAK/TO-263 (KTT)-3，包装数量MPQ：500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD19532KTT的批量USD价格：.909（1000+）

CSD19532KTTT，工作温度：-55 to 175，封装：DDPAK/TO-263 (KTT)-3，包装数量MPQ：50个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-2-260C-1 YEAR，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD19532KTTT的批量USD价格：1.027（1000+）

CSD19532KTT的评估套件：

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

这是一款面向无刷直流电机驱动应用、基于 Excel 的 MOSFET 功率损耗计算器。

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 适用于同步升压转换器的功率损耗计算工具

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 用于同步整流器的功率损耗计算工具

适用于同步整流器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

CSD19532KTT的电路图解：

CSD19532KTT的评估套件：