- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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这款 –8V、8.2mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和超薄特性结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
- 低电阻
- 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
- 无铅
- 栅极静电放电 (ESD) 保护
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 栅 - 源电压钳位
- 电池管理
- 电池保护
- 负载开关应用
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- VDS (V)
- -8
- VGS (V)
- -6
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 9.9
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
- 14
- Id peak (Max) (A)
- -80
- Id max cont (A)
- -5
- QG typ (nC)
- 18.9
- QGD typ (nC)
- 4.2
- QGS typ (nC)
- 3.2
- VGSTH typ (V)
- -0.7
- Package (mm)
- WLP 1.5x1.5
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 5
- Logic level
- Yes
CSD22204W的完整型号有：CSD22204W、CSD22204WT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD22204W，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD22204W的批量USD价格：.155（1000+）
CSD22204WT，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD22204WT的批量USD价格：.355（1000+）
CSD22204W，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD22204W的批量USD价格：.155（1000+）
CSD22204WT，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD22204WT的批量USD价格：.355（1000+）
