CSD22205L的基本参数
- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD22205L的产品详情：
这款 -8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供更低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板（而非焊球）的器件芯片级封装。
CSD22205L的优势和特性：
- 低电阻
- 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
- 0.36mm 厚，超薄型
- 无铅
- 栅源电压钳位
- 栅极 ESD 保护
- 符合 RoHS
- 无卤素
CSD22205L的参数（英文）：
- VDS (V)
- -8
- VGS (V)
- -6
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 9.9
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
- 15
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
- 40
- Id peak (Max) (A)
- -71
- Id max cont (A)
- -7.4
- QG typ (nC)
- 6.5
- QGD typ (nC)
- 1
- QGS typ (nC)
- 1.2
- VGSTH typ (V)
- -0.7
- Package (mm)
- LGA 1.2x1.2mm
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 7.4
- Logic level
- Yes
CSD22205L具体的完整产品型号参数及价格（美元）：
CSD22205L的完整型号有：CSD22205L、CSD22205LT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD22205L，工作温度：-55 to 150，封装： (YMG)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD22205L的批量USD价格：.117（1000+）
CSD22205LT，工作温度：-55 to 150，封装： (YMG)-4，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD22205LT的批量USD价格：.317（1000+）
CSD22205L的评估套件：
CSD22205L，工作温度：-55 to 150，封装： (YMG)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD22205L的批量USD价格：.117（1000+）
CSD22205LT，工作温度：-55 to 150，封装： (YMG)-4，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD22205LT的批量USD价格：.317（1000+）
CSD22205L的电路图解：
CSD22205L的评估套件：
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