CSD22206W_TI 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD22206W的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD22206W的产品详情：

这款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

CSD22206W的优势和特性：

超低电阻
小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
无铅
栅极静电放电 (ESD) 保护
符合 RoHS 环保标准
无卤素
栅 - 源电压钳位

CSD22206W的参数（英文）：

VDS (V)
-8
VGS (V)
-6
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
5.7
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
9.1
Id peak (Max) (A)
-108
Id max cont (A)
-5
QG typ (nC)
11.2
QGD typ (nC)
1.8
QGS typ (nC)
2.1
VGSTH typ (V)
-0.7
Package (mm)
WLP 1.5x1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
5
Logic level
Yes

CSD22206W具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD22206W的完整型号有：CSD22206W、CSD22206WT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD22206W，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD22206W的批量USD价格：.196（1000+）

CSD22206WT，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SAC396，TI官网CSD22206WT的批量USD价格：.396（1000+）

CSD22206W的评估套件：

CSD22206W的电路图解：

CSD22206W的评估套件：