CSD23202W10_TI 采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD23202W10的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD23202W10的产品详情：

这款 12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形
封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

CSD23202W10的优势和特性：

超低 Qg 和 Qgd
小尺寸封装 1mm x 1mm
薄型，0.62mm 高度
无铅
栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
符合 RoHS 环保标准
无卤素

应用范围

电池管理
负载开关
电池保护

CSD23202W10的参数（英文）：

VDS (V)
-12
VGS (V)
-6
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
53
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
66
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
92
Id peak (Max) (A)
-25
Id max cont (A)
-2.2
QG typ (nC)
2.9
QGD typ (nC)
0.28
QGS typ (nC)
0.55
VGSTH typ (V)
-0.6
Package (mm)
WLP 1.0x1.0
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
2.2
Logic level
Yes

CSD23202W10具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD23202W10的完整型号有：CSD23202W10、CSD23202W10T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD23202W10，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZB)-4，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD23202W10的批量USD价格：.09（1000+）

CSD23202W10T，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZB)-4，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD23202W10T的批量USD价格：.29（1000+）

CSD23202W10的评估套件：

CSD23202W10的电路图解：

CSD23202W10的评估套件：