CSD23203W_TI 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD23203W的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD23203W的产品详情：

这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计，能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。

CSD23203W的优势和特性：

超低 Qg 和 Qgd
低导通电阻 RDS(on)
小尺寸
低厚度，0.62mm 高
无铅
符合 RoHS 环保标准
无卤素
CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装

CSD23203W的参数（英文）：

VDS (V)
-8
VGS (V)
-6
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
19.4
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
26.5
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
53
Id peak (Max) (A)
-54
Id max cont (A)
-3
QG typ (nC)
4.9
QGD typ (nC)
0.6
QGS typ (nC)
1.3
VGSTH typ (V)
-0.8
Package (mm)
WLP 1.0x1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
3
Logic level
Yes

CSD23203W具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD23203W的完整型号有：CSD23203W、CSD23203WT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD23203W，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD23203W的批量USD价格：0.117（1000+）

CSD23203WT，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD23203WT的批量USD价格：0.317（1000+）

CSD23203W的评估套件：

CSD23203W的电路图解：

CSD23203W的评估套件：