该-12V、97mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 高漏极工作电流
• 超小尺寸
  • 0.73mm × 0.64mm
• 超薄型封装
  • 最大厚度为 0.36mm
• 集成型 ESD 保护二极管
  • 额定值 > 4kV HBM
  • 额定值 > 2kV CDM
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS

• VDS (V)
• -12
• VGS (V)
• -6
• Configuration
• Single
• Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
• 116
• Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
• 165
• Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
• 250
• Id peak (Max) (A)
• -11.4
• Id max cont (A)
• -1.8
• QG typ (nC)
• 0.95
• QGD typ (nC)
• 0.068
• QGS typ (nC)
• 0.3
• VGSTH typ (V)
• -0.65
• Package (mm)
• LGA 0.7x0.6mm
• ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
• 1.8
• Logic level
• Yes

CSD23280F3的完整型号有：CSD23280F3、CSD23280F3T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD23280F3，工作温度：-55 to 150，封装： (YJM)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD23280F3的批量USD价格：.04（1000+）

CSD23280F3T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJM)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD23280F3T的批量USD价格：.24（1000+）

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块

这款 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

This reference design demonstrates a highly-integrated solution for this application using an inductive sensing technique enabled by the CC1350 SimpleLink™ Wireless MCU and FemtoFET™ MOSFET. This reference design also provides the platform for integration of wireless communications (...)

TIDA-01589 — 具有降噪和回声消除功能的高保真、近场双向音频参考设计

人机交互需要声学接口以提供全双工免提通信。在免提模式中，来自扬声器的远端或近端音频信号的一部分耦合至麦克风。此外，在噪声环境中，除了有用的近端音频信号之外，麦克风还会捕获环境噪声。捕获的多麦克风音频信号被声学背景噪声以及回声信号破坏，回声信号会显著降低所需信号的可懂度，并限制后续音频处理系统的性能。此参考设计所展示的双麦克风用于通过立体声 ADC 实现音频输入，通过低功耗 DSP 执行降噪、声学回声消除和其他音频质量增强算法。此参考设计还采用了 TI 的智能放大器技术，从而可通过微型扬声器实现高质量、高 SPL 的音频输出。