CSD23382F4_TI 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD23382F4的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD23382F4的产品详情：

此 66mΩ、12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

CSD23382F4的优势和特性：

低导通电阻
超低 Qg 和 Qgd
超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
薄型封装
- 最大高度为 0.36mm
集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 2kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
铅端子镀层
无卤素
符合 RoHS

CSD23382F4的参数（英文）：

VDS (V)
-12
VGS (V)
-8
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
76
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
105
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
199
Id peak (Max) (A)
-22
Id max cont (A)
-3.5
QG typ (nC)
1.04
QGD typ (nC)
0.15
QGS typ (nC)
0.5
VGSTH typ (V)
-0.8
Package (mm)
LGA 1.0x0.6mm
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
3.5
Logic level
Yes

CSD23382F4具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD23382F4的完整型号有：CSD23382F4、CSD23382F4T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD23382F4，工作温度：0 to 0，封装： (YJC)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD23382F4的批量USD价格：.057（1000+）

CSD23382F4T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJC)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD23382F4T的批量USD价格：.257（1000+）

CSD23382F4的评估套件：

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块

这款 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

TIDA-00556 是一款实现低功耗且节省空间的“运输模式”解决方案，专门面向可穿戴设备和其他可使用简单的低成本负载开关实现的小型便携式电子产品。

CSD23382F4的电路图解：

CSD23382F4的评估套件：