- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
- 功能描述：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
- 低电阻
- 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
- 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 栅 - 源电压钳位
- 电池管理
- 电池保护
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- VDS (V)
- -20
- VGS (V)
- -6
- Configuration
- Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 26
- Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
- 32
- Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
- 52
- Id peak (Max) (A)
- -38
- Id max cont (A)
- -4
- QG typ (nC)
- 5.8
- QGD typ (nC)
- 0.8
- QGS typ (nC)
- 1.1
- VGSTH typ (V)
- -0.75
- Package (mm)
- WLP 1.5x1.5
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 4
- Logic level
- Yes
CSD25202W15的完整型号有：CSD25202W15、CSD25202W15T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD25202W15，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD25202W15的批量USD价格：.168（1000+）
CSD25202W15T，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD25202W15T的批量USD价格：.368（1000+）
CSD25202W15，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD25202W15的批量USD价格：.168（1000+）
CSD25202W15T，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD25202W15T的批量USD价格：.368（1000+）
