CSD25211W1015_TI 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD25211W1015的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD25211W1015的产品详情：

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。

CSD25211W1015的优势和特性：

超低导通电阻
超低 Qg 和 Qgd
1.0mm × 1.5mm 小尺寸封装
超薄型，高 0.62mm
无铅
栅源电压钳位
栅极 ESD 保护 - 3kV
符合 RoHS
无卤素

CSD25211W1015的参数（英文）：

VDS (V)
-20
VGS (V)
-6
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
33
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
44
Id peak (Max) (A)
-9.5
Id max cont (A)
-3.2
QG typ (nC)
3.4
QGD typ (nC)
0.2
QGS typ (nC)
1.1
VGSTH typ (V)
-0.8
Package (mm)
WLP 1.0x1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
3.2
Logic level
Yes

CSD25211W1015具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD25211W1015的完整型号有：CSD25211W1015，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD25211W1015，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD25211W1015的批量USD价格：0.143（1000+）

CSD25211W1015的评估套件：

CSD25211W1015的电路图解：

CSD25211W1015的评估套件：