CSD25304W1015_TI 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD25304W1015的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD25304W1015的产品详情：

这款 27mΩ，20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。器件在 105ºC 温度下运行R_θJA 典型值 = 165°C/W，脉宽 ≤100μs，占空比 ≤1%

CSD25304W1015的优势和特性：

超低 Qg 和 Qgd
小封装尺寸
低高度（高度为 0.62mm）
无铅
符合 RoHS 环保标准
无卤素
芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装

应用范围

电池管理
负载开关
电池保护

CSD25304W1015的参数（英文）：

VDS (V)
-20
VGS (V)
-8
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
32.5
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
45.5
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
92
Id peak (Max) (A)
-41
Id max cont (A)
-3
QG typ (nC)
3.3
QGD typ (nC)
0.5
QGS typ (nC)
0.7
VGSTH typ (V)
-0.8
Package (mm)
WLP 1.0x1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
3
Logic level
Yes

CSD25304W1015具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD25304W1015的完整型号有：CSD25304W1015、CSD25304W1015T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD25304W1015，工作温度：PropertyValue，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD25304W1015的批量USD价格：.121（1000+）

CSD25304W1015T，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD25304W1015T的批量USD价格：.321（1000+）

CSD25304W1015的评估套件：

CSD25304W1015的电路图解：

CSD25304W1015的评估套件：