CSD25481F4_TI 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD25481F4的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD25481F4的产品详情：

该 90mΩ、20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

。

CSD25481F4的优势和特性：

超低导通电阻
超低 Qg 和 Qgd
高漏极工作电流
超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1mm × 0.6mm
超薄型封装
- 最大厚度为 0.36mm
集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
无铅且无卤素
符合 RoHS

CSD25481F4的参数（英文）：

VDS (V)
-20
VGS (V)
-12
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
105
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
175
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
800
Id peak (Max) (A)
-10
Id max cont (A)
-2.5
QG typ (nC)
0.913
QGD typ (nC)
0.153
QGS typ (nC)
0.24
VGSTH typ (V)
-0.95
Package (mm)
LGA 1.0x0.6mm
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
2.5
Logic level
Yes

CSD25481F4具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD25481F4的完整型号有：CSD25481F4、CSD25481F4T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD25481F4，工作温度：-55 to 150，封装： (YJC)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD25481F4的批量USD价格：.056（1000+）

CSD25481F4T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJC)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD25481F4T的批量USD价格：.256（1000+）

CSD25481F4的评估套件：

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块

这款 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道部件号。子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

CSD25481F4的电路图解：

CSD25481F4的评估套件：