CSD25501F3_TI 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD25501F3的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD25501F3的产品详情：

此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (R_C) 可根据占空比让栅极电压 (V_GS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (I_GSS) 随着 V_GS 增加到高于 –6V 而增加。

CSD25501F3的优势和特性：

低导通电阻
超低 Qg 和 Qgd
超小尺寸
- 0.7mm × 0.6mm
薄型
- 最大高度为 0.22mm
集成型 ESD 保护二极管
无铅且无卤素
符合 RoHS

CSD25501F3的参数（英文）：

VDS (V)
-20
VGS (V)
-20
Configuration
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
76
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
125
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
260
Id peak (Max) (A)
-13.6
Id max cont (A)
-3.6
QG typ (nC)
1.02
QGD typ (nC)
0.09
QGS typ (nC)
0.45
VGSTH typ (V)
-0.75
Package (mm)
LGA 0.7x0.6mm
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
3.6
Logic level
Yes

CSD25501F3具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD25501F3的完整型号有：CSD25501F3、CSD25501F3T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD25501F3，工作温度：-55 to 150，封装： (YJN)-3，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD25501F3的批量USD价格：0.056（1000+）

CSD25501F3T，工作温度：-55 to 150，封装： (YJN)-3，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：NIAU，TI官网CSD25501F3T的批量USD价格：0.256（1000+）

CSD25501F3的评估套件：

Power Loss Calculation Tool for Load Switch (Rev. A)

此参考设计通过 ORing 控制器 LM5050-1 提供反极性和反向电流保护。同时，LM5069 热插拔控制器用于提供过流、过压、欠压保护和浪涌电流限制。该设计还包含适用于栅极驱动器、编码器和 MCU 电路等控制类电子装置的电源轨。

CSD25501F3的电路图解：

CSD25501F3的评估套件：