CSD75207W15_TI 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共源极、27mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD75207W15的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共源极、27mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD75207W15的产品详情：

CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。此器件也已经被授予美国专利 7952145，7420247，7235845 和 6600182。

CSD75207W15的优势和特性：

双路 P 通道 MOSFET
共源配置
小型封装尺寸 1.5mm x 1.5mm
栅极 - 源电压钳位
栅极静电放电 (ESD) 保护大于 4kV
- 人体模型 (HBM) JEDEC 标准 JESD22-A114
无铅且无卤素
符合 RoHS 环保标准

应用范围

电池管理
电池保护
负载和输入开关

CSD75207W15的参数（英文）：

VDS (V)
-20
VGS (V)
-6
Configuration
Dual Common Source
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
27
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
39
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
81
Id peak (Max) (A)
-24
Id max cont (A)
-3.9
QG typ (nC)
2.9
QGD typ (nC)
0.4
QGS typ (nC)
0.7
VGSTH typ (V)
-0.8
Package (mm)
WLP 1.5x1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
3.9
Logic level
Yes

CSD75207W15具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD75207W15的完整型号有：CSD75207W15，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD75207W15，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZF)-9，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD75207W15的批量USD价格：0.173（1000+）

CSD75207W15的评估套件：

TIDA-00100 — 用于蓝牙低能耗 (BLE) 指引子系统的室内灯光能源采集参考设计

适用于蓝牙低功耗 (BLE) 信标子系统的室内光线能量收集参考设计提供的一种解决方案只需借助零售环境普通室内照明的能量（大于 250 LUX）就能使蓝牙低功耗芯片广播 BLE 信标。

此子系统参考设计与现有解决方案之间有高度差异，这种设计不含电池，因此免去了电池更换、电池充电的麻烦，并且节省了与电池维护相关的成本。此解决方案还确保了不存在与安装相关的限制，只要存在普通室内照明即可。此外，也没有 ON/OFF 开关；整个负载连接和断开均由电源管理 IC 处理，因此确保了此解决方案具有自我管理能力。

CSD75207W15的电路图解：

CSD75207W15的评估套件：