CSD75208W1015_TI 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共源极、108mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET

CSD75208W1015的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - P 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共源极、108mΩ、-20V、P 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD75208W1015的产品详情：

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的理想选择。

CSD75208W1015的优势和特性：

双路 P 通道 MOSFET
共源配置
1.5mm x 1mm 小尺寸封装
栅极 - 源电压钳位
栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
无铅
符合 RoHS 环保标准
无卤素

CSD75208W1015的参数（英文）：

VDS (V)
-20
VGS (V)
-6
Configuration
Dual Common Source
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
108
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)
150
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)
285
Id peak (Max) (A)
-22
Id max cont (A)
-1.6
QG typ (nC)
1.9
QGD typ (nC)
0.23
QGS typ (nC)
0.48
VGSTH typ (V)
-0.8
Package (mm)
WLP 1.0x1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
1.6
Logic level
Yes

CSD75208W1015具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD75208W1015的完整型号有：CSD75208W1015、CSD75208W1015T，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD75208W1015，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD75208W1015的批量USD价格：.127（1000+）

CSD75208W1015T，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZC)-6，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD75208W1015T的批量USD价格：.327（1000+）

CSD75208W1015的评估套件：

CSD75208W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

TIDA-00488 演示了一种功耗超低的可再生无线环境感应方法，这种方法利用了日光能量收集技术，具有较长的备用电池寿命。该参考设计使用我们的超低功耗收集装置电源管理 IC、SimpleLink 低于 1GHz 超低功耗无线微控制器 (MCU) 平台以及环境光、湿度和温度感应技术，可在能量收集电路工作时进行连续监控，在依赖备用电池供电运行时中断监控。

TIDA-00712 — 智能手表电池管理解决方案参考设计

此参考设计可作为智能手表电池管理解决方案 (BMS)，适用于智能手表应用等低功耗可穿戴设备。该设计包括一个超低电流 1 节锂离子电池线性充电器、高度集成且符合 Qi 标准的无线功率接收器、具有成本效益的电压和电流保护集成电路、带有集成检测电阻电池电量计的系统端以及用于 LCD 显示设备且输出高达 28V 的升压器。

该设计在小尺寸 (20mm x 29mm) PCB 中实现；其输入电源可以来自 micro-USB 连接器或符合 Qi 标准的无线功率发射器，但只要检测到来自 micro-USB 连接器的 5V 电源，无线功率发射器就会关闭。

CSD75208W1015的电路图解：

CSD75208W1015的评估套件：