CSD83325L的基本参数
- 制造厂商:TI
- 产品类别:电源管理
- 技术类目:MOSFET - N 沟道 MOSFET
- 功能描述:采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD83325L的产品详情:
此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
CSD83325L的优势和特性:
- 共漏极结构
- 低导通电阻
- 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 栅极静电 (ESD) 保护
CSD83325L的参数(英文):
- VDS (V)
- 12
- Configuration
- Dual Common Drain
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
- 5.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
- 52
- QG typ (nC)
- 8.4
- QGD typ (nC)
- 1.9
- QGS typ (nC)
- 2.2
- Package (mm)
- LGA 2.2x1.2mm
- VGS (V)
- 10
- VGSTH typ (V)
- 0.95
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
- 8
- ID - package limited (A)
- 8
- Logic level
- Yes
CSD83325L具体的完整产品型号参数及价格(美元):
CSD83325L的完整型号有:CSD83325L、CSD83325LT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:
CSD83325L,工作温度:PropertyValue,封装: (YJE)-6,包装数量MPQ:3000个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIAU,TI官网CSD83325L的批量USD价格:.162(1000+)
CSD83325LT,工作温度:-55 to 150,封装: (YJE)-6,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:NIAU,TI官网CSD83325LT的批量USD价格:.362(1000+)
CSD83325L的评估套件:
CSD83325L Unencrypted PSpice Model (Rev. B)
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converterSYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。PMP4496 — 具有快速充电器输入的 USB-C DRP 移动电源参考设计
PMP4496 是具有单个 USB Type C 双角色端口 (DRP) 的移动电源参考设计。它能以灌电流或拉电流形式工作。根据附加的外部器件,自动确定角色。还支持快速充电输入,以节省更多充电时间。TIDA-00712 — 智能手表电池管理解决方案参考设计
此参考设计可作为智能手表电池管理解决方案 (BMS),适用于智能手表应用等低功耗可穿戴设备。该设计包括一个超低电流 1 节锂离子电池线性充电器、高度集成且符合 Qi 标准的无线功率接收器、具有成本效益的电压和电流保护集成电路、带有集成检测电阻电池电量计的系统端以及用于 LCD 显示设备且输出高达 28V 的升压器。该设计在小尺寸 (20mm x 29mm) PCB 中实现;其输入电源可以来自 micro-USB 连接器或符合 Qi 标准的无线功率发射器,但只要检测到来自 micro-USB 连接器的 5V 电源,无线功率发射器就会关闭。
CSD83325L的电路图解:
CSD83325L的评估套件:
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