CSD86311W1723_TI 采用 1.7mm x 2.3mm WLP 封装的双路共源极、42mΩ、25V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - N 沟道 MOSFET
功能描述：采用 1.7mm x 2.3mm WLP 封装的双路共源极、42mΩ、25V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET
点击这里打开及下载CSD86311W1723的技术文档资料
TI代理渠道，提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格

CSD86311W1723的产品详情：

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with thermal characteristics in an ultra low profile. Low on resistance and gate charge coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained application in load management as well as DC-DC converter applications

CSD86311W1723的优势和特性：

Dual N-Ch MOSFETs
Common Source Configuration
Small Footprint 1.7 mm × 2.3 mm
Ultra Low Qg and Qgd
Pb Free
RoHS Compliant
Halogen Free
APPLICATIONS
- Battery Management
- Battery Protection
- DC-DC Converters

CSD86311W1723的参数（英文）：

VDS (V)
25
Configuration
Dual Common Source
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
42
IDM - pulsed drain current (Max) (A)
4.5
QG typ (nC)
3.1
QGD typ (nC)
0.33
QGS typ (nC)
0.85
Package (mm)
WLP1.7x2.3
VGS (V)
10
VGSTH typ (V)
1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
4.5
ID - package limited (A)
4.5
Logic level
Yes

CSD86311W1723具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD86311W1723的完整型号有：CSD86311W1723，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD86311W1723，工作温度：-55 to 150，封装：DSBGA (YZG)-12，包装数量MPQ：3000个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SNAGCU，TI官网CSD86311W1723的批量USD价格：.324（1000+）

CSD86311W1723的评估套件：

CSD86311W1723 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

CSD86311W1723的电路图解：

CSD86311W1723的评估套件：