CSD86336Q3D的基本参数
- 制造厂商：TI
- 产品类别：电源管理
- 技术类目：MOSFET - 电源块
- 功能描述：采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
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CSD86336Q3D的产品详情：
CSD86336Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。
CSD86336Q3D的优势和特性：
- 半桥电源块
- 12A 电流下系统效率高达 93.0%
- 工作电流高达 20A
- 高频工作（高达 1.5MHz）
- 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
CSD86336Q3D的参数（英文）：
- VGS (V)
- 10
- VDS (V)
- 25
- Power loss (W)
- 1.8
- Ploss current (A)
- 15
- ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
- 20
- Operating temperature range (C)
- -55 to 150
- Features
- Power supply
- Duty cycle (%)
- Low
CSD86336Q3D具体的完整产品型号参数及价格（美元）：
CSD86336Q3D的完整型号有：CSD86336Q3D、CSD86336Q3DT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：
CSD86336Q3D，工作温度：-55 to 150，封装： (DPB)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD86336Q3D的批量USD价格：.517（1000+）
CSD86336Q3DT，工作温度：-55 to 150，封装： (DPB)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD86336Q3DT的批量USD价格：.62（1000+）
CSD86336Q3D的评估套件：
CSD863336Q3D Unencrypted PSpice Model (Rev. C)
适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。CSD86336Q3D的电路图解：
CSD86336Q3D的评估套件：
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