CSD86350Q5D_TI 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块

CSD86350Q5D的基本参数

制造厂商：TI
产品类别：电源管理
技术类目：MOSFET - 电源块
功能描述：采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
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CSD86350Q5D的产品详情：

The CSD86350Q5D NexFET™ power block is an optimized design for synchronous buck applications offering high-current, high-efficiency, and high-frequency capability in a small 5-mm × 6-mm outline. Optimized for 5-V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offering a high-density power supply when paired with any 5-V gate drive from an external controller/driver.

CSD86350Q5D的优势和特性：

Half-Bridge Power Block
90% System Efficiency at 25 A
Up to 40-A Operation
High-Frequency Operation (up to 1.5 MHz)
High-Density SON 5-mm × 6-mm Footprint
Optimized for 5-V Gate Drive
Low-Switching Losses
Ultra-Low Inductance Package
RoHS Compliant
Halogen Free
Lead-Free Terminal Plating
APPLICATIONS
- Synchronous Buck Converters
  - High-Frequency Applications
  - High-Current, Low-Duty Cycle Applications
- Multiphase Synchronous Buck Converters
- POL DC-DC Converters
- IMVP, VRM, and VRD Applications

All other trademarks are the property of their respective owners

CSD86350Q5D的参数（英文）：

VGS (V)
10
VDS (V)
25
Power loss (W)
2.8
Ploss current (A)
25
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
40
Operating temperature range (C)
-55 to 150
Features
Power supply
Duty cycle (%)
Low

CSD86350Q5D具体的完整产品型号参数及价格（美元）：

CSD86350Q5D的完整型号有：CSD86350Q5D、CSD86350Q5DT，以下是这些产品的关键参数及官网采购报价：

CSD86350Q5D，工作温度：-55 to 150，封装： (DQY)-8，包装数量MPQ：2500个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD86350Q5D的批量USD价格：.932（1000+）

CSD86350Q5DT，工作温度：-55 to 150，封装： (DQY)-8，包装数量MPQ：250个，MSL 等级/回流焊峰值温度：Level-1-260C-UNLIM，引脚镀层/焊球材料：SN，TI官网CSD86350Q5DT的批量USD价格：1.118（1000+）

CSD86350Q5D的评估套件：

CSD86350Q5DEVM-604 — 使用 NexFET™ 电源块和 TPS51218 的高密度大电流电源解决方案

CSD86350Q5DEVM-604 评估模块 (EVM) 是同步降压转换器，采用 TI 的 NexFET 电源块技术以提供大电流、超高密度电源解决方案。该 EVM 输入总线的额定电压为 12V，在 25A 时提供 1.2V 输出，效率超过 92%。该 EVM 设计为利用单电源工作，因此无需额外偏置电压。该 EVM 采用 TPS51218 高性能、中等输入电压、同步降压控制器和 TI 的 NexFET 电源块来优化整个解决方案的效率和功率密度。

TPS53219EVM-690 — TPS53219EVM-690 宽输入电压 Eco-mode™，单路同步降压控制器

TPS53219EVM-690 评估模块 (EVM) 使用TPS53219。TPS53219 是自适应接通时间 D-CAP 模式控制的外形小巧的单相降压控制器。可在高达 25A 的电流下提供 1.1V 固定输出电压，并由 12V 输入总线供电。TPS53219EVM-690 还使用 5mm x 6mm TI 电源块 MOSFET (CSD86350Q5D)，以实现高功率密度和出色的热性能。TPS53219EVM-690 设计成使用 12V 稳压总线在高达 25A 的负载电流下产生 1.1V 的稳压输出。TPS53219EVM-690 旨在演示 TPS53219 (...)

CSD86350Q5D Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

适用于同步升压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器。

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 适用于同步降压转换器应用的 MOSFET 功率损耗计算器

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。

CSD86350Q5D的电路图解：

CSD86350Q5D的评估套件：