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CSD86356Q5D的基本参数
  • 制造厂商:TI
  • 产品类别:电源管理
  • 技术类目:MOSFET - 电源块
  • 功能描述:采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET 功率 MOSFET 电源块
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CSD86356Q5D的产品详情:

CSD86356Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。




CSD86356Q5D的优势和特性:
  • 半桥电源块
  • 25A 电流下系统效率高达 93.0%
  • 工作电流高达 40A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
CSD86356Q5D的参数(英文):
  • VGS (V)
  • 10
  • VDS (V)
  • 25
  • Power loss (W)
  • 2.8
  • Ploss current (A)
  • 25
  • ID - continuous drain current at Ta=25degC (A)
  • 40
  • Operating temperature range (C)
  • -55 to 150
  • Features
  • Power supply
  • Duty cycle (%)
  • Low
CSD86356Q5D具体的完整产品型号参数及价格(美元):

CSD86356Q5D的完整型号有:CSD86356Q5D、CSD86356Q5DT,以下是这些产品的关键参数及官网采购报价:

CSD86356Q5D,工作温度:-55 to 150,封装: (DMV)-8,包装数量MPQ:2500个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD86356Q5D的批量USD价格:.81(1000+)

CSD86356Q5DT,工作温度:-55 to 150,封装: (DMV)-8,包装数量MPQ:250个,MSL 等级/回流焊峰值温度:Level-1-260C-UNLIM,引脚镀层/焊球材料:SN,TI官网CSD86356Q5DT的批量USD价格:.972(1000+)

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CSD86356Q5D的评估套件:

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